美國(guó)加州大學(xué)教授崔永濤做客強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)論壇
來源:合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 時(shí)間:2016年12月15日
12月9日,應(yīng)中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強(qiáng)磁場(chǎng)中心研究員盛志高邀請(qǐng),美國(guó)加州大學(xué)河濱分校教授崔永濤訪問強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心,并作了題為Visualizing Emergent Interface Electronic States in Quantum Materials的學(xué)術(shù)報(bào)告。
低維電子體系(比如薄膜、材料界面等)為發(fā)現(xiàn)新型電子態(tài)提供了有力的研究基礎(chǔ)??臻g分辨電子探頭能在介觀尺度上直接探測(cè)這些態(tài),彌補(bǔ)了傳統(tǒng)輸運(yùn)技術(shù)的不足。在本次報(bào)告中,崔永濤介紹了能夠在納米尺度上表征材料電容電導(dǎo)的掃描探針技術(shù)——微波阻抗顯微鏡(MIM)。他詳盡介紹了微波阻抗顯微鏡在二維電子態(tài)上兩項(xiàng)代表性工作,一項(xiàng)是通過MIM探究了Nd2IrO7的籌壁,另一項(xiàng)是通過MIM探究了一些二維拓?fù)潴w系的邊緣電導(dǎo)。很多師生對(duì)這一新型探測(cè)手段非常感興趣,并希望能夠進(jìn)一步討論尋找合作機(jī)會(huì)。
崔永濤于2005年畢業(yè)于北京大學(xué),于2011年在美國(guó)康奈爾大學(xué)獲得博士學(xué)位,然后在斯坦福大學(xué)做博士后。2016年夏季到美國(guó)加州大學(xué)河濱分校擔(dān)任助理教授。